世界顶尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供给商RamtronInternational Corporation公布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。
产品特点
FM22L16是256K×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟”(NoDelay?)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。
这种4MbFRAM是标准异步SRAM完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案，与SRAM不同的是它不在需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。
FM22L16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作，这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内(-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V电压工作。要了解有关FM22L16更具体的信息，请访问公司网站http://www.ramtron.com/4MbFRAM/Default.ASP。
关于德州仪器的高级130纳米(nm)FRAM工艺
FM22L16以德州仪器公认及先进的130nmCMOS制造工艺为基础。在标准CMOS130nm逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅使用了两个额外的掩模步骤。德州仪器和Ramtron在今天发布的另一份新闻稿中，具体描述了其商用制造的安排，以及针对Ramtron的FRAM产品而设德州仪器130nm工艺的情况。
价格和现货
FM22L16的工程样件现已提供，并计划在2007年第三季限量供给，第四季开始量产。该器件采用符合RoHS要求的44脚TSOP-II封装，订购10,000件的起价为19美元。
关于RamtronInternational
RamtronInternational(纳斯达克代码：RMTR)总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，专门设计、开发和销售专用的半导体存储器、微控制器和集成半导体解决方案，广泛用于全球多个应用和市场。此外，Ramtron与各大授权厂商和制造商合作，将其技术推向市场。（爵也编辑）
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